HFQD11P06TM
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HFQD11P06TM
这款P沟道场效应管（MOSFET）具有10A的连续漏极电流能力， 能够承受高达60V的漏源电压。 其导通电阻仅为125毫欧姆， 保证了高效的电流传导和较低的功率损耗。 栅源电压范围为20V， 适合于需要精确控制的应用场合。 凭借这些特性， 该MOSFET适用于电源管理、负载开关以及各种消费电子设备中， 以实现稳定可靠的电路性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
4
货期
现货
HFQD11P06TM参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4 |
HFQD11P06TM概述
这款P沟道场效应管（MOSFET）具有10A的连续漏极电流能力， 能够承受高达60V的漏源电压。 其导通电阻仅为125毫欧姆， 保证了高效的电流传导和较低的功率损耗。 栅源电压范围为20V， 适合于需要精确控制的应用场合。 凭借这些特性， 该MOSFET适用于电源管理、负载开关以及各种消费电子设备中， 以实现稳定可靠的电路性能。
HFQD11P06TM特性
暂无产品特性。
HFQD11P06TM应用领域
暂无应用领域。