HFQA28N50
IC
TO-3P
可供量大可议
HFQA28N50
这款N沟道场效应管拥有28A的大电流处理能力, 能够承受高达500V的漏源电压, 导通电阻为150mΩ, 适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。 其栅源电压范围达到20V, 确保了在多种电路设计中实现稳定且快速的开关操作。 适合于电源转换、逆变器以及各类需要高性能开关元件的电子设备中使用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-3P
库存
2
货期
现货
HFQA28N50参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
HFQA28N50概述
这款N沟道场效应管拥有28A的大电流处理能力, 能够承受高达500V的漏源电压, 导通电阻为150mΩ, 适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。 其栅源电压范围达到20V, 确保了在多种电路设计中实现稳定且快速的开关操作。 适合于电源转换、逆变器以及各类需要高性能开关元件的电子设备中使用。
HFQA28N50特性
暂无产品特性。
HFQA28N50应用领域
暂无应用领域。
