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HFQA28N50
IC

TO-3P

可供量大可议

HFQA28N50

这款N沟道场效应管拥有28A的大电流处理能力, 能够承受高达500V的漏源电压, 导通电阻为150mΩ, 适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。 其栅源电压范围达到20V, 确保了在多种电路设计中实现稳定且快速的开关操作。 适合于电源转换、逆变器以及各类需要高性能开关元件的电子设备中使用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-3P

库存

2

货期

现货

HFQA28N50参数

封装TO-3P
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存2

HFQA28N50概述

这款N沟道场效应管拥有28A的大电流处理能力, 能够承受高达500V的漏源电压, 导通电阻为150mΩ, 适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。 其栅源电压范围达到20V, 确保了在多种电路设计中实现稳定且快速的开关操作。 适合于电源转换、逆变器以及各类需要高性能开关元件的电子设备中使用。

HFQA28N50特性

暂无产品特性。

HFQA28N50应用领域

暂无应用领域。

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