HFFSH3065BF085
IC
TO-247-2L
可供量大可议
HFFSH3065BF085
这款碳化硅二极管具备30A的正向电流(IF), 以及650V的反向电压(VR)耐受能力, 适合应用于高压环境中。 其正向压降(VF)为1.3V, 有助于减少在导通状态下的能量损失。 反向漏电流(IR)在室温下为150微安, 表明其拥有较好的绝缘性能。 此外, 该二极管支持高达210A的正向浪涌电流(IFSM), 使其成为应对瞬时高电流需求的理想选择, 适用于高频开关模式下的整流以及其他需要高性能电流管理的场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
15
货期
现货
HFFSH3065BF085参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 15 |
HFFSH3065BF085概述
这款碳化硅二极管具备30A的正向电流(IF), 以及650V的反向电压(VR)耐受能力, 适合应用于高压环境中。 其正向压降(VF)为1.3V, 有助于减少在导通状态下的能量损失。 反向漏电流(IR)在室温下为150微安, 表明其拥有较好的绝缘性能。 此外, 该二极管支持高达210A的正向浪涌电流(IFSM), 使其成为应对瞬时高电流需求的理想选择, 适用于高频开关模式下的整流以及其他需要高性能电流管理的场合。
HFFSH3065BF085特性
暂无产品特性。
HFFSH3065BF085应用领域
暂无应用领域。
