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HFFSH3065BF085
IC

TO-247-2L

可供量大可议

HFFSH3065BF085

这款碳化硅二极管具备30A的正向电流(IF), 以及650V的反向电压(VR)耐受能力, 适合应用于高压环境中。 其正向压降(VF)为1.3V, 有助于减少在导通状态下的能量损失。 反向漏电流(IR)在室温下为150微安, 表明其拥有较好的绝缘性能。 此外, 该二极管支持高达210A的正向浪涌电流(IFSM), 使其成为应对瞬时高电流需求的理想选择, 适用于高频开关模式下的整流以及其他需要高性能电流管理的场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247-2L

库存

15

货期

现货

HFFSH3065BF085参数

封装TO-247-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存15

HFFSH3065BF085概述

这款碳化硅二极管具备30A的正向电流(IF), 以及650V的反向电压(VR)耐受能力, 适合应用于高压环境中。 其正向压降(VF)为1.3V, 有助于减少在导通状态下的能量损失。 反向漏电流(IR)在室温下为150微安, 表明其拥有较好的绝缘性能。 此外, 该二极管支持高达210A的正向浪涌电流(IFSM), 使其成为应对瞬时高电流需求的理想选择, 适用于高频开关模式下的整流以及其他需要高性能电流管理的场合。

HFFSH3065BF085特性

暂无产品特性。

HFFSH3065BF085应用领域

暂无应用领域。

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