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HFFSH2065BDNF085
IC

TO-247

可供量大可议

HFFSH2065BDNF085

本产品为高性能碳化硅二极管, 具备优异的电学特性。 最大正向电流(IF)可达20A, 反向耐压(VR)高达650V, 适用于高效率电源转换系统。 其正向导通压降(VF)仅为1.3V, 显著降低导通损耗, 提升整体能效。 在高温或高压环境下仍能保持稳定工作, 反向漏电流(IR)低至100μA, 确保器件在复杂电磁环境中具有良好的可靠性。 此外, 具备70A的浪涌电流(IFSM)承受能力, 增强了对瞬态过流的适应性。 广泛应用于高效开关电源、光伏逆变器及通信设备电源模块中, 满足高频、高密度电源设计需求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-247

库存

27

货期

现货

HFFSH2065BDNF085参数

封装TO-247
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存27

HFFSH2065BDNF085概述

本产品为高性能碳化硅二极管, 具备优异的电学特性。 最大正向电流(IF)可达20A, 反向耐压(VR)高达650V, 适用于高效率电源转换系统。 其正向导通压降(VF)仅为1.3V, 显著降低导通损耗, 提升整体能效。 在高温或高压环境下仍能保持稳定工作, 反向漏电流(IR)低至100μA, 确保器件在复杂电磁环境中具有良好的可靠性。 此外, 具备70A的浪涌电流(IFSM)承受能力, 增强了对瞬态过流的适应性。 广泛应用于高效开关电源、光伏逆变器及通信设备电源模块中, 满足高频、高密度电源设计需求。

HFFSH2065BDNF085特性

暂无产品特性。

HFFSH2065BDNF085应用领域

暂无应用领域。

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