HFFSH2065BDNF085
IC
TO-247
可供量大可议
HFFSH2065BDNF085
本产品为高性能碳化硅二极管, 具备优异的电学特性。 最大正向电流(IF)可达20A, 反向耐压(VR)高达650V, 适用于高效率电源转换系统。 其正向导通压降(VF)仅为1.3V, 显著降低导通损耗, 提升整体能效。 在高温或高压环境下仍能保持稳定工作, 反向漏电流(IR)低至100μA, 确保器件在复杂电磁环境中具有良好的可靠性。 此外, 具备70A的浪涌电流(IFSM)承受能力, 增强了对瞬态过流的适应性。 广泛应用于高效开关电源、光伏逆变器及通信设备电源模块中, 满足高频、高密度电源设计需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247
库存
27
货期
现货
HFFSH2065BDNF085参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 27 |
HFFSH2065BDNF085概述
本产品为高性能碳化硅二极管, 具备优异的电学特性。 最大正向电流(IF)可达20A, 反向耐压(VR)高达650V, 适用于高效率电源转换系统。 其正向导通压降(VF)仅为1.3V, 显著降低导通损耗, 提升整体能效。 在高温或高压环境下仍能保持稳定工作, 反向漏电流(IR)低至100μA, 确保器件在复杂电磁环境中具有良好的可靠性。 此外, 具备70A的浪涌电流(IFSM)承受能力, 增强了对瞬态过流的适应性。 广泛应用于高效开关电源、光伏逆变器及通信设备电源模块中, 满足高频、高密度电源设计需求。
HFFSH2065BDNF085特性
暂无产品特性。
HFFSH2065BDNF085应用领域
暂无应用领域。
