HFFSH10120ADNF155
IC
TO-247-3L
可供量大可议
HFFSH10120ADNF155
该款碳化硅二极管提供10安培的最大连续正向电流(IF/A), 并具备高达1200伏特的反向重复电压(VR/V)。 其正向电压(VF/V)为1.4伏特, 在大电流通过时保持较低的能量损耗。 反向漏电流(IR/uA)控制在150微安, 确保了在无正向偏压时的良好隔离性。 此外, 该二极管支持最高46安培的正向浪涌电流(IFSM/A), 适合用于需要处理瞬时电流峰值的电路设计中。 其优异的性能使其成为高频开关电路及需提升效率与可靠性的电子装置的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-3L
库存
18
货期
现货
HFFSH10120ADNF155参数
| 封装 | TO-247-3L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 18 |
HFFSH10120ADNF155概述
该款碳化硅二极管提供10安培的最大连续正向电流(IF/A), 并具备高达1200伏特的反向重复电压(VR/V)。 其正向电压(VF/V)为1.4伏特, 在大电流通过时保持较低的能量损耗。 反向漏电流(IR/uA)控制在150微安, 确保了在无正向偏压时的良好隔离性。 此外, 该二极管支持最高46安培的正向浪涌电流(IFSM/A), 适合用于需要处理瞬时电流峰值的电路设计中。 其优异的性能使其成为高频开关电路及需提升效率与可靠性的电子装置的理想选择。
HFFSH10120ADNF155特性
暂无产品特性。
HFFSH10120ADNF155应用领域
暂无应用领域。
