HFFSH10120A
IC
TO-247-2L
可供量大可议
HFFSH10120A
这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流(IF/A), 能够承受最高达1200伏特的反向电压(VR/V)。 其正向压降(VF/V)仅为1.5伏特, 在反向偏置条件下, 漏电流(IR/uA)控制在250微安。 此外, 该二极管瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达67安培, 适用于需要高效率及高频操作的应用场景, 如电源转换与逆变技术领域, 能够在严苛的工作环境中提供可靠的性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-247-2L
库存
10
货期
现货
HFFSH10120A参数
| 封装 | TO-247-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 10 |
HFFSH10120A概述
这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流(IF/A), 能够承受最高达1200伏特的反向电压(VR/V)。 其正向压降(VF/V)仅为1.5伏特, 在反向偏置条件下, 漏电流(IR/uA)控制在250微安。 此外, 该二极管瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达67安培, 适用于需要高效率及高频操作的应用场景, 如电源转换与逆变技术领域, 能够在严苛的工作环境中提供可靠的性能表现。
HFFSH10120A特性
暂无产品特性。
HFFSH10120A应用领域
暂无应用领域。
