HFFSD1065BF085

这款碳化硅二极管具有10安培的正向电流（IF/A）， 能够承受最高650伏特的反向电压（VR/V）。 在其正向导通状态下的电压降（VF/V）仅为1.3伏特， 有助于减少能量损耗。 此外， 该二极管在反向偏置条件下展示出微安级别的极低反向漏电流（IR/uA：50）， 表明其拥有良好的阻断性能。 峰值瞬态电流（IFSM/A）可达80安培， 适用于高频开关及电源整流等要求苛刻的应用中， 确保了高效的电力转换与可靠的电路保护。