HFFSD0665A
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HFFSD0665A
这款碳化硅二极管具备6A的正向电流承载能力（IF/A）， 并能承受高达650V的反向电压（VR/V）。 其工作时产生的正向电压（VF/V）仅为1.3V， 且在反向状态下， 其漏电流（IR/uA）保持在50μA。 该二极管还具有48A的瞬态正向浪涌电流处理能力（IFSM/A）。 这些特性使其非常适合应用于要求高效率和可靠性的开关电路及能量转换系统中。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
31
货期
现货
HFFSD0665A参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 31 |
HFFSD0665A概述
这款碳化硅二极管具备6A的正向电流承载能力（IF/A）， 并能承受高达650V的反向电压（VR/V）。 其工作时产生的正向电压（VF/V）仅为1.3V， 且在反向状态下， 其漏电流（IR/uA）保持在50μA。 该二极管还具有48A的瞬态正向浪涌电流处理能力（IFSM/A）。 这些特性使其非常适合应用于要求高效率和可靠性的开关电路及能量转换系统中。
HFFSD0665A特性
暂无产品特性。
HFFSD0665A应用领域
暂无应用领域。