HFFSB1065B
IC
TO-263
可供量大可议
HFFSB1065B
这款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A), 能够承受最高650V的反向电压(VR/V)。 其正向电压降(VF/V)仅为1.3V, 在反向偏置条件下, 漏电流(IR/uA)不超过50微安。 此外, 该二极管瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达80A, 在高频开关电源和其他需要高效能与高可靠性的电路中, 可以提供卓越的性能表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
78
货期
现货
HFFSB1065B参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 78 |
HFFSB1065B概述
这款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A), 能够承受最高650V的反向电压(VR/V)。 其正向电压降(VF/V)仅为1.3V, 在反向偏置条件下, 漏电流(IR/uA)不超过50微安。 此外, 该二极管瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达80A, 在高频开关电源和其他需要高效能与高可靠性的电路中, 可以提供卓越的性能表现。
HFFSB1065B特性
暂无产品特性。
HFFSB1065B应用领域
暂无应用领域。
