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HFFSB1065B
IC

TO-263

可供量大可议

HFFSB1065B

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A), 能够承受最高650V的反向电压(VR/V)。 其正向电压降(VF/V)仅为1.3V, 在反向偏置条件下, 漏电流(IR/uA)不超过50微安。 此外, 该二极管瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达80A, 在高频开关电源和其他需要高效能与高可靠性的电路中, 可以提供卓越的性能表现。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

78

货期

现货

HFFSB1065B参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存78

HFFSB1065B概述

这款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A), 能够承受最高650V的反向电压(VR/V)。 其正向电压降(VF/V)仅为1.3V, 在反向偏置条件下, 漏电流(IR/uA)不超过50微安。 此外, 该二极管瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达80A, 在高频开关电源和其他需要高效能与高可靠性的电路中, 可以提供卓越的性能表现。

HFFSB1065B特性

暂无产品特性。

HFFSB1065B应用领域

暂无应用领域。

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