HFFSB10120AF085
IC
TO-263
可供量大可议
HFFSB10120AF085
此款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A)处理能力, 以及高达1200V的反向电压(VR/V), 适用于高耐压和中等电流的应用场合。 其正向电压降(VF/V)为1.4V, 在高效能操作时可减少电力损耗。 反向电流(IR/uA)为100微安, 表明在非导通期间有良好的阻断性能。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达90A, 使得该二极管能够在短时间内承受电流峰值, 适用于需要可靠阻断能力和快速恢复特性的电路设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
102
货期
现货
HFFSB10120AF085参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 102 |
HFFSB10120AF085概述
此款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A)处理能力, 以及高达1200V的反向电压(VR/V), 适用于高耐压和中等电流的应用场合。 其正向电压降(VF/V)为1.4V, 在高效能操作时可减少电力损耗。 反向电流(IR/uA)为100微安, 表明在非导通期间有良好的阻断性能。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达90A, 使得该二极管能够在短时间内承受电流峰值, 适用于需要可靠阻断能力和快速恢复特性的电路设计。
HFFSB10120AF085特性
暂无产品特性。
HFFSB10120AF085应用领域
暂无应用领域。
