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HFFSB10120AF085
IC

TO-263

可供量大可议

HFFSB10120AF085

此款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A)处理能力, 以及高达1200V的反向电压(VR/V), 适用于高耐压和中等电流的应用场合。 其正向电压降(VF/V)为1.4V, 在高效能操作时可减少电力损耗。 反向电流(IR/uA)为100微安, 表明在非导通期间有良好的阻断性能。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达90A, 使得该二极管能够在短时间内承受电流峰值, 适用于需要可靠阻断能力和快速恢复特性的电路设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

102

货期

现货

HFFSB10120AF085参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存102

HFFSB10120AF085概述

此款碳化硅二极管具有10A的正向电流(IF/A)处理能力, 以及高达1200V的反向电压(VR/V), 适用于高耐压和中等电流的应用场合。 其正向电压降(VF/V)为1.4V, 在高效能操作时可减少电力损耗。 反向电流(IR/uA)为100微安, 表明在非导通期间有良好的阻断性能。 瞬态正向浪涌电流(IFSM/A)可达90A, 使得该二极管能够在短时间内承受电流峰值, 适用于需要可靠阻断能力和快速恢复特性的电路设计。

HFFSB10120AF085特性

暂无产品特性。

HFFSB10120AF085应用领域

暂无应用领域。

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