HFDP083N15AF102

这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有120A的漏极电流（ID/A）， 适用于需要较大电流的应用。 其最大工作电压（VDSS/V）为150V， 能够在较宽的电压范围内稳定工作。 导通电阻（RDSON/mR）为9.5毫欧， 使得在导通状态下的功耗较低。 栅源电压（VGS/V）为±20V， 保证了良好的控制特性。 该MOSFET适用于各种需要高效能和低损耗特性的电子设备， 如电源适配器、消费类电子产品中的电源路径控制等。