HFDN86501LZ

这款N沟道场效应管（MOSFET）具有3A的连续排水电流（ID）， 以及60V的最大断态电压（VDSS）， 适用于多种电子设备中作为高效能开关或放大器。 其导通电阻（RDSON）为72毫欧， 在20V的栅源电压（VGS）下可确保低损耗特性。 该MOSFET适合用于个人电子产品、家用电器等领域的电源管理与信号处理环节。