HFDD6637
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HFDD6637
这款P沟道场效应管（MOSFET）具备80A的漏极电流（ID）承载能力， 以及30V的最大漏源耐压（VDSS）。 其低至5.5毫欧的导通电阻（RDSON）使得在高功率密度设计中能够有效降低能耗。 器件支持最高25V的栅源电压（VGS）， 增强了电路设计时的适用范围。 此MOSFET适用于各种需要精密电源管理与信号放大的电子装置中， 如日常家用电器或个人电子设备等。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
5
货期
现货
HFDD6637参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
HFDD6637概述
这款P沟道场效应管（MOSFET）具备80A的漏极电流（ID）承载能力， 以及30V的最大漏源耐压（VDSS）。 其低至5.5毫欧的导通电阻（RDSON）使得在高功率密度设计中能够有效降低能耗。 器件支持最高25V的栅源电压（VGS）， 增强了电路设计时的适用范围。 此MOSFET适用于各种需要精密电源管理与信号放大的电子装置中， 如日常家用电器或个人电子设备等。
HFDD6637特性
暂无产品特性。
HFDD6637应用领域
暂无应用领域。