HF115F-I/005-1HS3A
IC
DIP, 29x12.7mm
可供量大可议
HF115F-I/005-1HS3A
特性：最大高浪涌：120A 20ms。 低高度：15.7mm。 5kV 介电强度（线圈和触点之间）。 爬电距离：10mm。 符合 VDE（700,0631 加强绝缘）。 产品符合 IEC 60335-1。 有插座。 有塑料密封和防焊剂类型。 UL 绝缘系统：F 级。 符合 RoHS 标准
品牌
HF
封装
DIP, 29x12.7mm
库存
7
货期
现货
HF115F-I/005-1HS3A参数
| 封装 | DIP, 29x12.7mm |
|---|---|
| 品牌 | HF(宏发) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 功率继电器 |
|---|---|
| 库存 | 7 |
HF115F-I/005-1HS3A概述
特性：最大高浪涌：120A 20ms。 低高度：15.7mm。 5kV 介电强度（线圈和触点之间）。 爬电距离：10mm。 符合 VDE（700,0631 加强绝缘）。 产品符合 IEC 60335-1。 有插座。 有塑料密封和防焊剂类型。 UL 绝缘系统：F 级。 符合 RoHS 标准
HF115F-I/005-1HS3A特性
暂无产品特性。
HF115F-I/005-1HS3A应用领域
暂无应用领域。