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HESDUC5VU4EF-A
IC

DFN2510-10L

可供量大可议

HESDUC5VU4EF-A

这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管, 适用于4通道保护, 具备5V高稳定VRWM电压阈值, 有效防止过电压。 器件每通道提供高达4A的瞬态峰值电流IPP, 并具有业界领先的超低结电容CJ仅为0.3pF, 确保在高效抑制ESD的同时保持卓越的信号完整性, 是多通道高速接口的理想防静电解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN2510-10L

库存

370

货期

现货

HESDUC5VU4EF-A参数

封装DFN2510-10L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存370

HESDUC5VU4EF-A概述

这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管, 适用于4通道保护, 具备5V高稳定VRWM电压阈值, 有效防止过电压。 器件每通道提供高达4A的瞬态峰值电流IPP, 并具有业界领先的超低结电容CJ仅为0.3pF, 确保在高效抑制ESD的同时保持卓越的信号完整性, 是多通道高速接口的理想防静电解决方案。

HESDUC5VU4EF-A特性

暂无产品特性。

HESDUC5VU4EF-A应用领域

暂无应用领域。

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