HESDUC5VU4EF-A
IC
DFN2510-10L
可供量大可议
HESDUC5VU4EF-A
这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管, 适用于4通道保护, 具备5V高稳定VRWM电压阈值, 有效防止过电压。 器件每通道提供高达4A的瞬态峰值电流IPP, 并具有业界领先的超低结电容CJ仅为0.3pF, 确保在高效抑制ESD的同时保持卓越的信号完整性, 是多通道高速接口的理想防静电解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN2510-10L
库存
370
货期
现货
HESDUC5VU4EF-A参数
| 封装 | DFN2510-10L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 370 |
HESDUC5VU4EF-A概述
这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管, 适用于4通道保护, 具备5V高稳定VRWM电压阈值, 有效防止过电压。 器件每通道提供高达4A的瞬态峰值电流IPP, 并具有业界领先的超低结电容CJ仅为0.3pF, 确保在高效抑制ESD的同时保持卓越的信号完整性, 是多通道高速接口的理想防静电解决方案。
HESDUC5VU4EF-A特性
暂无产品特性。
HESDUC5VU4EF-A应用领域
暂无应用领域。
