HESDUC5VB1AF-B
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HESDUC5VB1AF-B
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为5V系统提供单通道保护。 具备3A峰值脉冲电流IPP能力, 能有效抑制双向瞬态ESD冲击, 确保电路安全。 超低结电容0.6pF设计, 尤其适合高速数据传输接口, 兼具卓越信号完整性和高级别的静电防护效能, 是现代电子设备的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
6,650
货期
现货
HESDUC5VB1AF-B参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 6650 |
HESDUC5VB1AF-B概述
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为5V系统提供单通道保护。 具备3A峰值脉冲电流IPP能力, 能有效抑制双向瞬态ESD冲击, 确保电路安全。 超低结电容0.6pF设计, 尤其适合高速数据传输接口, 兼具卓越信号完整性和高级别的静电防护效能, 是现代电子设备的理想选择。
HESDUC5VB1AF-B特性
暂无产品特性。
HESDUC5VB1AF-B应用领域
暂无应用领域。
