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HESDUC5VB1AF-B
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HESDUC5VB1AF-B

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为5V系统提供单通道保护。 具备3A峰值脉冲电流IPP能力, 能有效抑制双向瞬态ESD冲击, 确保电路安全。 超低结电容0.6pF设计, 尤其适合高速数据传输接口, 兼具卓越信号完整性和高级别的静电防护效能, 是现代电子设备的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

6,650

货期

现货

HESDUC5VB1AF-B参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存6650

HESDUC5VB1AF-B概述

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为5V系统提供单通道保护。 具备3A峰值脉冲电流IPP能力, 能有效抑制双向瞬态ESD冲击, 确保电路安全。 超低结电容0.6pF设计, 尤其适合高速数据传输接口, 兼具卓越信号完整性和高级别的静电防护效能, 是现代电子设备的理想选择。

HESDUC5VB1AF-B特性

暂无产品特性。

HESDUC5VB1AF-B应用领域

暂无应用领域。

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