HESDUC5VB1AF-A
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HESDUC5VB1AF-A
该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统, 提供单通道高效防静电保护。 器件能承受4A峰值脉冲电流IPP, 有效抑制双向瞬态ESD事件, 确保电路安全。 其超低结电容0.35pF设计尤为适合高速数据接口应用, 保障信号完整性的同时实现卓越的ESD防护性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
50
货期
现货
HESDUC5VB1AF-A参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
HESDUC5VB1AF-A概述
该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统, 提供单通道高效防静电保护。 器件能承受4A峰值脉冲电流IPP, 有效抑制双向瞬态ESD事件, 确保电路安全。 其超低结电容0.35pF设计尤为适合高速数据接口应用, 保障信号完整性的同时实现卓越的ESD防护性能。
HESDUC5VB1AF-A特性
暂无产品特性。
HESDUC5VB1AF-A应用领域
暂无应用领域。
