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HESDUC5VB1AF-A
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HESDUC5VB1AF-A

该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统, 提供单通道高效防静电保护。 器件能承受4A峰值脉冲电流IPP, 有效抑制双向瞬态ESD事件, 确保电路安全。 其超低结电容0.35pF设计尤为适合高速数据接口应用, 保障信号完整性的同时实现卓越的ESD防护性能。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

50

货期

现货

HESDUC5VB1AF-A参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存50

HESDUC5VB1AF-A概述

该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统, 提供单通道高效防静电保护。 器件能承受4A峰值脉冲电流IPP, 有效抑制双向瞬态ESD事件, 确保电路安全。 其超低结电容0.35pF设计尤为适合高速数据接口应用, 保障信号完整性的同时实现卓越的ESD防护性能。

HESDUC5VB1AF-A特性

暂无产品特性。

HESDUC5VB1AF-A应用领域

暂无应用领域。

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