HESDUC3V3U4EF-A
IC
DFN2510-10L
可供量大可议
HESDUC3V3U4EF-A
这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管适用于4通道保护, 具备3.3V高精度VRWM耐压, 有效避免过电压损坏。 器件每个通道均能承受瞬态峰值电流IPP高达4A, 并具有超低结电容CJ为0.5pF, 确保在提供出色ESD防护的同时维持高速信号传输的卓越品质, 是多通道高速接口的理想防静电解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN2510-10L
库存
3,030
货期
现货
HESDUC3V3U4EF-A参数
| 封装 | DFN2510-10L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 3030 |
HESDUC3V3U4EF-A概述
这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管适用于4通道保护, 具备3.3V高精度VRWM耐压, 有效避免过电压损坏。 器件每个通道均能承受瞬态峰值电流IPP高达4A, 并具有超低结电容CJ为0.5pF, 确保在提供出色ESD防护的同时维持高速信号传输的卓越品质, 是多通道高速接口的理想防静电解决方案。
HESDUC3V3U4EF-A特性
暂无产品特性。
HESDUC3V3U4EF-A应用领域
暂无应用领域。
