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HESDUC3V3U4EF-A
IC

DFN2510-10L

可供量大可议

HESDUC3V3U4EF-A

这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管适用于4通道保护, 具备3.3V高精度VRWM耐压, 有效避免过电压损坏。 器件每个通道均能承受瞬态峰值电流IPP高达4A, 并具有超低结电容CJ为0.5pF, 确保在提供出色ESD防护的同时维持高速信号传输的卓越品质, 是多通道高速接口的理想防静电解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN2510-10L

库存

3,030

货期

现货

HESDUC3V3U4EF-A参数

封装DFN2510-10L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存3030

HESDUC3V3U4EF-A概述

这款DFN2510-10L封装单向ESD静电防护二极管适用于4通道保护, 具备3.3V高精度VRWM耐压, 有效避免过电压损坏。 器件每个通道均能承受瞬态峰值电流IPP高达4A, 并具有超低结电容CJ为0.5pF, 确保在提供出色ESD防护的同时维持高速信号传输的卓越品质, 是多通道高速接口的理想防静电解决方案。

HESDUC3V3U4EF-A特性

暂无产品特性。

HESDUC3V3U4EF-A应用领域

暂无应用领域。

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