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HESDSLC3V3LB
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HESDSLC3V3LB

这款静电和浪涌保护器件为双向类型, 单通道设计。 工作电压3.3V, 可承受4A电流。 结电容典型值为0.3pF, 对电路影响极小。 适用于多种电子产品, 能有效双向防护静电和浪涌干扰, 确保设备稳定运行, 提升设备安全性。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

40

货期

现货

HESDSLC3V3LB参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存40

HESDSLC3V3LB概述

这款静电和浪涌保护器件为双向类型, 单通道设计。 工作电压3.3V, 可承受4A电流。 结电容典型值为0.3pF, 对电路影响极小。 适用于多种电子产品, 能有效双向防护静电和浪涌干扰, 确保设备稳定运行, 提升设备安全性。

HESDSLC3V3LB特性

暂无产品特性。

HESDSLC3V3LB应用领域

暂无应用领域。

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