HESDSLC3V3LB
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HESDSLC3V3LB
这款静电和浪涌保护器件为双向类型, 单通道设计。 工作电压3.3V, 可承受4A电流。 结电容典型值为0.3pF, 对电路影响极小。 适用于多种电子产品, 能有效双向防护静电和浪涌干扰, 确保设备稳定运行, 提升设备安全性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
40
货期
现货
HESDSLC3V3LB参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
HESDSLC3V3LB概述
这款静电和浪涌保护器件为双向类型, 单通道设计。 工作电压3.3V, 可承受4A电流。 结电容典型值为0.3pF, 对电路影响极小。 适用于多种电子产品, 能有效双向防护静电和浪涌干扰, 确保设备稳定运行, 提升设备安全性。
HESDSLC3V3LB特性
暂无产品特性。
HESDSLC3V3LB应用领域
暂无应用领域。
