HESDNC7VB1AF-A
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HESDNC7VB1AF-A
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为7V系统设计, 提供单通道卓越保护。 具有9A峰值脉冲电流IPP能力, 有效应对双向瞬态ESD冲击, 确保电路安全稳定运行。 8pF低结电容特性保障高速数据传输时信号完整性, 是现代电子设备及高要求接口的理想ESD防护解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
220
货期
现货
HESDNC7VB1AF-A参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 220 |
HESDNC7VB1AF-A概述
此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为7V系统设计, 提供单通道卓越保护。 具有9A峰值脉冲电流IPP能力, 有效应对双向瞬态ESD冲击, 确保电路安全稳定运行。 8pF低结电容特性保障高速数据传输时信号完整性, 是现代电子设备及高要求接口的理想ESD防护解决方案。
HESDNC7VB1AF-A特性
暂无产品特性。
HESDNC7VB1AF-A应用领域
暂无应用领域。
