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HESDNC7VB1AF-A
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HESDNC7VB1AF-A

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为7V系统设计, 提供单通道卓越保护。 具有9A峰值脉冲电流IPP能力, 有效应对双向瞬态ESD冲击, 确保电路安全稳定运行。 8pF低结电容特性保障高速数据传输时信号完整性, 是现代电子设备及高要求接口的理想ESD防护解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

220

货期

现货

HESDNC7VB1AF-A参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存220

HESDNC7VB1AF-A概述

此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 专为7V系统设计, 提供单通道卓越保护。 具有9A峰值脉冲电流IPP能力, 有效应对双向瞬态ESD冲击, 确保电路安全稳定运行。 8pF低结电容特性保障高速数据传输时信号完整性, 是现代电子设备及高要求接口的理想ESD防护解决方案。

HESDNC7VB1AF-A特性

暂无产品特性。

HESDNC7VB1AF-A应用领域

暂无应用领域。

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