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HESDNC712B1EL-B
IC

SOD-323

可供量大可议

HESDNC712B1EL-B

本款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备优异的瞬态电压抑制能力, 适用于高敏感电子电路的防护。 其最大钳位电流IPP为18A, 在瞬态过压事件中可快速导通并吸收能量; 工作反向电压VRWM有7V和12V两种选择, 适应不同电路需求; 结电容CJ为30pF, 对信号完整性影响较小; 采用单通道设计, 支持双向保护模式, 适用于各类低速信号线或电源线路的防护场景, 如消费类电子产品、通信设备及便携式终端等。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-323

库存

100

货期

现货

HESDNC712B1EL-B参数

封装SOD-323
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存100

HESDNC712B1EL-B概述

本款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备优异的瞬态电压抑制能力, 适用于高敏感电子电路的防护。 其最大钳位电流IPP为18A, 在瞬态过压事件中可快速导通并吸收能量; 工作反向电压VRWM有7V和12V两种选择, 适应不同电路需求; 结电容CJ为30pF, 对信号完整性影响较小; 采用单通道设计, 支持双向保护模式, 适用于各类低速信号线或电源线路的防护场景, 如消费类电子产品、通信设备及便携式终端等。

HESDNC712B1EL-B特性

暂无产品特性。

HESDNC712B1EL-B应用领域

暂无应用领域。

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