HESDNC712B1EL-B
IC
SOD-323
可供量大可议
HESDNC712B1EL-B
本款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备优异的瞬态电压抑制能力, 适用于高敏感电子电路的防护。 其最大钳位电流IPP为18A, 在瞬态过压事件中可快速导通并吸收能量; 工作反向电压VRWM有7V和12V两种选择, 适应不同电路需求; 结电容CJ为30pF, 对信号完整性影响较小; 采用单通道设计, 支持双向保护模式, 适用于各类低速信号线或电源线路的防护场景, 如消费类电子产品、通信设备及便携式终端等。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
100
货期
现货
HESDNC712B1EL-B参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
HESDNC712B1EL-B概述
本款静电和浪涌保护器件(TVS/ESD)具备优异的瞬态电压抑制能力, 适用于高敏感电子电路的防护。 其最大钳位电流IPP为18A, 在瞬态过压事件中可快速导通并吸收能量; 工作反向电压VRWM有7V和12V两种选择, 适应不同电路需求; 结电容CJ为30pF, 对信号完整性影响较小; 采用单通道设计, 支持双向保护模式, 适用于各类低速信号线或电源线路的防护场景, 如消费类电子产品、通信设备及便携式终端等。
HESDNC712B1EL-B特性
暂无产品特性。
HESDNC712B1EL-B应用领域
暂无应用领域。
