HESDNC7/12VB2I-C
IC
SOT-23
可供量大可议
HESDNC7/12VB2I-C
这款SOT-23封装双向ESD静电防护二极管采用双通道设计, 具有7V工作电压耐受值VRWM, 可有效抵御过电压。 器件在每个通道上能承受瞬态峰值电流IPP高达10A, 并配置了低结电容CJ为15pF, 在提供强大防静电保护的同时保持高速信号传输的完整性, 是理想的双通道接口静电防护解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
950
货期
现货
HESDNC7/12VB2I-C参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 950 |
HESDNC7/12VB2I-C概述
这款SOT-23封装双向ESD静电防护二极管采用双通道设计, 具有7V工作电压耐受值VRWM, 可有效抵御过电压。 器件在每个通道上能承受瞬态峰值电流IPP高达10A, 并配置了低结电容CJ为15pF, 在提供强大防静电保护的同时保持高速信号传输的完整性, 是理想的双通道接口静电防护解决方案。
HESDNC7/12VB2I-C特性
暂无产品特性。
HESDNC7/12VB2I-C应用领域
暂无应用领域。
