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HESDNC7/12VB2I-C
IC

SOT-23

可供量大可议

HESDNC7/12VB2I-C

这款SOT-23封装双向ESD静电防护二极管采用双通道设计, 具有7V工作电压耐受值VRWM, 可有效抵御过电压。 器件在每个通道上能承受瞬态峰值电流IPP高达10A, 并配置了低结电容CJ为15pF, 在提供强大防静电保护的同时保持高速信号传输的完整性, 是理想的双通道接口静电防护解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

950

货期

现货

HESDNC7/12VB2I-C参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存950

HESDNC7/12VB2I-C概述

这款SOT-23封装双向ESD静电防护二极管采用双通道设计, 具有7V工作电压耐受值VRWM, 可有效抵御过电压。 器件在每个通道上能承受瞬态峰值电流IPP高达10A, 并配置了低结电容CJ为15pF, 在提供强大防静电保护的同时保持高速信号传输的完整性, 是理想的双通道接口静电防护解决方案。

HESDNC7/12VB2I-C特性

暂无产品特性。

HESDNC7/12VB2I-C应用领域

暂无应用领域。

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