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HESDNC5VB1AF-B
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HESDNC5VB1AF-B

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 适用于5V系统, 提供单通道高效保护, 有效抵御双向瞬态ESD冲击, 确保敏感电子设备安全。 保证高速信号线路在遭受静电放电时仍能保持优异的信号完整性, 是现代集成化电子产品理想的抗ESD解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

8,800

货期

现货

HESDNC5VB1AF-B参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 100
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存8800

HESDNC5VB1AF-B概述

这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 适用于5V系统, 提供单通道高效保护, 有效抵御双向瞬态ESD冲击, 确保敏感电子设备安全。 保证高速信号线路在遭受静电放电时仍能保持优异的信号完整性, 是现代集成化电子产品理想的抗ESD解决方案。

HESDNC5VB1AF-B特性

暂无产品特性。

HESDNC5VB1AF-B应用领域

暂无应用领域。

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