HESDNC5VB1AF-B
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HESDNC5VB1AF-B
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 适用于5V系统, 提供单通道高效保护, 有效抵御双向瞬态ESD冲击, 确保敏感电子设备安全。 保证高速信号线路在遭受静电放电时仍能保持优异的信号完整性, 是现代集成化电子产品理想的抗ESD解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
8,800
货期
现货
HESDNC5VB1AF-B参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 100 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 8800 |
HESDNC5VB1AF-B概述
这款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管, 适用于5V系统, 提供单通道高效保护, 有效抵御双向瞬态ESD冲击, 确保敏感电子设备安全。 保证高速信号线路在遭受静电放电时仍能保持优异的信号完整性, 是现代集成化电子产品理想的抗ESD解决方案。
HESDNC5VB1AF-B特性
暂无产品特性。
HESDNC5VB1AF-B应用领域
暂无应用领域。
