HESDM3051N2T5G
IC
DFN1006-2
可供量大可议
HESDM3051N2T5G
这款双向ESD保护二极管专为单路信号保护设计, 5V工作电压下稳定可靠, 45A峰值电流处理能力凸显其强大的静电防护性能。 尽管电容值为15pF, 适合于不太敏感于信号延迟的应用, 它依然是确保电子设备免受静电损坏的高效守护者, 提升系统整体的稳健性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2
库存
200
货期
现货
HESDM3051N2T5G参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
HESDM3051N2T5G概述
这款双向ESD保护二极管专为单路信号保护设计, 5V工作电压下稳定可靠, 45A峰值电流处理能力凸显其强大的静电防护性能。 尽管电容值为15pF, 适合于不太敏感于信号延迟的应用, 它依然是确保电子设备免受静电损坏的高效守护者, 提升系统整体的稳健性。
HESDM3051N2T5G特性
暂无产品特性。
HESDM3051N2T5G应用领域
暂无应用领域。
