HESDM3033N2T5G
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HESDM3033N2T5G
该ESD保护元件为双向单路配置， 额定电压3.3V， 能承受9A瞬态电流冲击， 电容仅为15pF， 适合于保护电子电路免受静电破坏， 确保信号完整性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
20
货期
现货
HESDM3033N2T5G参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
HESDM3033N2T5G概述
该ESD保护元件为双向单路配置， 额定电压3.3V， 能承受9A瞬态电流冲击， 电容仅为15pF， 适合于保护电子电路免受静电破坏， 确保信号完整性。
HESDM3033N2T5G特性
暂无产品特性。
HESDM3033N2T5G应用领域
暂无应用领域。