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HESDBM3V3A1
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HESDBM3V3A1

该静电和浪涌保护器件为TVS/ESD类型, 具有9A的峰值脉冲电流(IPP)处理能力和3.3V的最大工作电压(VRWM), 适用于需要双向保护的应用场景。 其电容值(CJ)为15pF, 表明它对信号完整性影响较小, 适合高速数据传输线路的保护。 此元件设计用于单线(LINE:1)配置, 能够为敏感电子设备提供有效的瞬态电压抑制, 防止因过电压或静电放电造成的损坏。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

50

货期

现货

HESDBM3V3A1参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 50
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存50

HESDBM3V3A1概述

该静电和浪涌保护器件为TVS/ESD类型, 具有9A的峰值脉冲电流(IPP)处理能力和3.3V的最大工作电压(VRWM), 适用于需要双向保护的应用场景。 其电容值(CJ)为15pF, 表明它对信号完整性影响较小, 适合高速数据传输线路的保护。 此元件设计用于单线(LINE:1)配置, 能够为敏感电子设备提供有效的瞬态电压抑制, 防止因过电压或静电放电造成的损坏。

HESDBM3V3A1特性

暂无产品特性。

HESDBM3V3A1应用领域

暂无应用领域。

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