HESDBM3V3A1
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HESDBM3V3A1
该静电和浪涌保护器件为TVS/ESD类型, 具有9A的峰值脉冲电流(IPP)处理能力和3.3V的最大工作电压(VRWM), 适用于需要双向保护的应用场景。 其电容值(CJ)为15pF, 表明它对信号完整性影响较小, 适合高速数据传输线路的保护。 此元件设计用于单线(LINE:1)配置, 能够为敏感电子设备提供有效的瞬态电压抑制, 防止因过电压或静电放电造成的损坏。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
50
货期
现货
HESDBM3V3A1参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
HESDBM3V3A1概述
该静电和浪涌保护器件为TVS/ESD类型, 具有9A的峰值脉冲电流(IPP)处理能力和3.3V的最大工作电压(VRWM), 适用于需要双向保护的应用场景。 其电容值(CJ)为15pF, 表明它对信号完整性影响较小, 适合高速数据传输线路的保护。 此元件设计用于单线(LINE:1)配置, 能够为敏感电子设备提供有效的瞬态电压抑制, 防止因过电压或静电放电造成的损坏。
HESDBM3V3A1特性
暂无产品特性。
HESDBM3V3A1应用领域
暂无应用领域。
