HESD9N5B
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HESD9N5B
该产品为单通道双向ESD静电保护二极管， 额定电压VRWM为5伏特， 可承受瞬时电流IPP高达5.5安培， 电容值CJ低至10皮法， 专为保护电子电路免受静电释放造成的损害， 确保信号传输质量及系统稳定性， 适用于各类静电敏感设备。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
10,000
货期
现货
HESD9N5B参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10000 |
HESD9N5B概述
该产品为单通道双向ESD静电保护二极管， 额定电压VRWM为5伏特， 可承受瞬时电流IPP高达5.5安培， 电容值CJ低至10皮法， 专为保护电子电路免受静电释放造成的损害， 确保信号传输质量及系统稳定性， 适用于各类静电敏感设备。
HESD9N5B特性
暂无产品特性。
HESD9N5B应用领域
暂无应用领域。