HESD9BL0522P-C
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HESD9BL0522P-C
这款双向ESD保护二极管专为单通道应用设计, 耐压5V, 具备4A峰值电流处理能力, 为电路提供全面的静电防护。 0.5pF的低电容特性, 确保高速信号无损传输, 是保护现代电子设备免受静电干扰、维持系统稳定性的理想解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
150
货期
现货
HESD9BL0522P-C参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 150 |
HESD9BL0522P-C概述
这款双向ESD保护二极管专为单通道应用设计, 耐压5V, 具备4A峰值电流处理能力, 为电路提供全面的静电防护。 0.5pF的低电容特性, 确保高速信号无损传输, 是保护现代电子设备免受静电干扰、维持系统稳定性的理想解决方案。
HESD9BL0522P-C特性
暂无产品特性。
HESD9BL0522P-C应用领域
暂无应用领域。
