HESD8351HT1G
IC
SOD-323
可供量大可议
HESD8351HT1G
该ESD保护二极管具备单向保护功能, 专为单一信号线定制。 在3.3V工作电压下, 提供稳定的防静电解决方案。 4A峰值电流处理能力, 有效抵御瞬态高压冲击。 0.6pF低电容值设计, 确保高速信号传输无衰减, 适用于各类精密电子设备, 保障数据线路安全畅通。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-323
库存
50
货期
现货
HESD8351HT1G参数
| 封装 | SOD-323 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
HESD8351HT1G概述
该ESD保护二极管具备单向保护功能, 专为单一信号线定制。 在3.3V工作电压下, 提供稳定的防静电解决方案。 4A峰值电流处理能力, 有效抵御瞬态高压冲击。 0.6pF低电容值设计, 确保高速信号传输无衰减, 适用于各类精密电子设备, 保障数据线路安全畅通。
HESD8351HT1G特性
暂无产品特性。
HESD8351HT1G应用领域
暂无应用领域。
