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HESD8104MUTAG
IC

DFN2510-10L

可供量大可议

HESD8104MUTAG

这款Uni单向保护器件, 配置了四个高效通道, 专为电压保护优化。 在3.3V最大工作电压下, 每个通道能够处理高达4A的瞬间电流冲击, 加之仅0.6pF的典型电容值, 确保了信号传递的高速与纯净, 为多线系统提供了高性能、低干扰的保护方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN2510-10L

库存

25

货期

现货

HESD8104MUTAG参数

封装DFN2510-10L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存25

HESD8104MUTAG概述

这款Uni单向保护器件, 配置了四个高效通道, 专为电压保护优化。 在3.3V最大工作电压下, 每个通道能够处理高达4A的瞬间电流冲击, 加之仅0.6pF的典型电容值, 确保了信号传递的高速与纯净, 为多线系统提供了高性能、低干扰的保护方案。

HESD8104MUTAG特性

暂无产品特性。

HESD8104MUTAG应用领域

暂无应用领域。

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