HESD8104MUTAG
IC
DFN2510-10L
可供量大可议
HESD8104MUTAG
这款Uni单向保护器件, 配置了四个高效通道, 专为电压保护优化。 在3.3V最大工作电压下, 每个通道能够处理高达4A的瞬间电流冲击, 加之仅0.6pF的典型电容值, 确保了信号传递的高速与纯净, 为多线系统提供了高性能、低干扰的保护方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN2510-10L
库存
25
货期
现货
HESD8104MUTAG参数
| 封装 | DFN2510-10L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
HESD8104MUTAG概述
这款Uni单向保护器件, 配置了四个高效通道, 专为电压保护优化。 在3.3V最大工作电压下, 每个通道能够处理高达4A的瞬间电流冲击, 加之仅0.6pF的典型电容值, 确保了信号传递的高速与纯净, 为多线系统提供了高性能、低干扰的保护方案。
HESD8104MUTAG特性
暂无产品特性。
HESD8104MUTAG应用领域
暂无应用领域。
