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HESD7504MUTAG
IC

DFN2510-10L

可供量大可议

HESD7504MUTAG

此款Uni单向保护器集成了四个独立通道, 每个通道耐压3.3V, 具备4A峰值电流吸收能力, 及0.6pF低结电容, 专为高密度电路设计。 它能有效阻断反向电压, 同时确保信号快速传输, 为精密电子设备提供精巧而强大的保护解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN2510-10L

库存

200

货期

现货

HESD7504MUTAG参数

封装DFN2510-10L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存200

HESD7504MUTAG概述

此款Uni单向保护器集成了四个独立通道, 每个通道耐压3.3V, 具备4A峰值电流吸收能力, 及0.6pF低结电容, 专为高密度电路设计。 它能有效阻断反向电压, 同时确保信号快速传输, 为精密电子设备提供精巧而强大的保护解决方案。

HESD7504MUTAG特性

暂无产品特性。

HESD7504MUTAG应用领域

暂无应用领域。

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