HESD7504MUTAG
IC
DFN2510-10L
可供量大可议
HESD7504MUTAG
此款Uni单向保护器集成了四个独立通道, 每个通道耐压3.3V, 具备4A峰值电流吸收能力, 及0.6pF低结电容, 专为高密度电路设计。 它能有效阻断反向电压, 同时确保信号快速传输, 为精密电子设备提供精巧而强大的保护解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN2510-10L
库存
200
货期
现货
HESD7504MUTAG参数
| 封装 | DFN2510-10L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 200 |
HESD7504MUTAG概述
此款Uni单向保护器集成了四个独立通道, 每个通道耐压3.3V, 具备4A峰值电流吸收能力, 及0.6pF低结电容, 专为高密度电路设计。 它能有效阻断反向电压, 同时确保信号快速传输, 为精密电子设备提供精巧而强大的保护解决方案。
HESD7504MUTAG特性
暂无产品特性。
HESD7504MUTAG应用领域
暂无应用领域。
