HESD7004MUTAG
IC
DFN2510-10L
可供量大可议
HESD7004MUTAG
这款Uni单向保护器件， 设计精巧， 专为多通道应用打造， 配备4个通道， 每个通道都能承受高达5伏特的反向工作电压（VRWM）。 在遇到瞬态电流冲击时， 它能安全导通并处理最大4.5安培的峰值脉冲电流（IPP）， 确保电路稳定。 其低电容值（CJ典型值为0.6皮法）有助于减少信号衰减， 特别适合高频信号保护， 保证了信号完整性与系统响应速度。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN2510-10L
库存
10
货期
现货
HESD7004MUTAG参数
| 封装 | DFN2510-10L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
HESD7004MUTAG概述
这款Uni单向保护器件， 设计精巧， 专为多通道应用打造， 配备4个通道， 每个通道都能承受高达5伏特的反向工作电压（VRWM）。 在遇到瞬态电流冲击时， 它能安全导通并处理最大4.5安培的峰值脉冲电流（IPP）， 确保电路稳定。 其低电容值（CJ典型值为0.6皮法）有助于减少信号衰减， 特别适合高频信号保护， 保证了信号完整性与系统响应速度。
HESD7004MUTAG特性
暂无产品特性。
HESD7004MUTAG应用领域
暂无应用领域。