HESD5581N2T5G
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HESD5581N2T5G
这款双向ESD保护二极管专为单通道电路设计, 耐压5V, 瞬时电流承受能力达5.5A, 确保电路免受静电破坏。 其10pF的低电容特性保持信号纯净, 特别适合于保护便携设备和高灵敏度电路, 有效提升系统防静电水平及数据传输质量。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
900
货期
现货
HESD5581N2T5G参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 900 |
HESD5581N2T5G概述
这款双向ESD保护二极管专为单通道电路设计, 耐压5V, 瞬时电流承受能力达5.5A, 确保电路免受静电破坏。 其10pF的低电容特性保持信号纯净, 特别适合于保护便携设备和高灵敏度电路, 有效提升系统防静电水平及数据传输质量。
HESD5581N2T5G特性
暂无产品特性。
HESD5581N2T5G应用领域
暂无应用领域。
