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HESD5481MUT5G
IC

DFN0603-2L

可供量大可议

HESD5481MUT5G

此款双向ESD静电保护二极管专为5V电压平台设计, 单通道结构, 能承受9A瞬时电流冲击, 为电路板上的敏感元件提供周全的静电防护。 15pF的电容值虽稍高, 但适合于较低速信号线路, 不影响日常使用中的信号传输, 是保障电子设备在静电多发环境下安全运行的经济高效解决方案。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN0603-2L

库存

1,680

货期

现货

HESD5481MUT5G参数

封装DFN0603-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存1680

HESD5481MUT5G概述

此款双向ESD静电保护二极管专为5V电压平台设计, 单通道结构, 能承受9A瞬时电流冲击, 为电路板上的敏感元件提供周全的静电防护。 15pF的电容值虽稍高, 但适合于较低速信号线路, 不影响日常使用中的信号传输, 是保障电子设备在静电多发环境下安全运行的经济高效解决方案。

HESD5481MUT5G特性

暂无产品特性。

HESD5481MUT5G应用领域

暂无应用领域。

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