HESD5481MUT5G
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
HESD5481MUT5G
此款双向ESD静电保护二极管专为5V电压平台设计, 单通道结构, 能承受9A瞬时电流冲击, 为电路板上的敏感元件提供周全的静电防护。 15pF的电容值虽稍高, 但适合于较低速信号线路, 不影响日常使用中的信号传输, 是保障电子设备在静电多发环境下安全运行的经济高效解决方案。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN0603-2L
库存
1,680
货期
现货
HESD5481MUT5G参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1680 |
HESD5481MUT5G概述
此款双向ESD静电保护二极管专为5V电压平台设计, 单通道结构, 能承受9A瞬时电流冲击, 为电路板上的敏感元件提供周全的静电防护。 15pF的电容值虽稍高, 但适合于较低速信号线路, 不影响日常使用中的信号传输, 是保障电子设备在静电多发环境下安全运行的经济高效解决方案。
HESD5481MUT5G特性
暂无产品特性。
HESD5481MUT5G应用领域
暂无应用领域。
