HESD5481MUT3G
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
HESD5481MUT3G
这款双向ESD保护二极管专为5V系统单通道定制, 具备9A峰值电流处理能力, 为电路提供坚实的静电防护墙。 虽然电容值为15pF, 适合于对速度要求不苛刻的环境, 有效平衡了保护效能与成本, 是众多消费电子和一般电路应用中预防静电损害的理想选择, 确保设备长期稳定运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN0603-2L
库存
980
货期
现货
HESD5481MUT3G参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 980 |
HESD5481MUT3G概述
这款双向ESD保护二极管专为5V系统单通道定制, 具备9A峰值电流处理能力, 为电路提供坚实的静电防护墙。 虽然电容值为15pF, 适合于对速度要求不苛刻的环境, 有效平衡了保护效能与成本, 是众多消费电子和一般电路应用中预防静电损害的理想选择, 确保设备长期稳定运行。
HESD5481MUT3G特性
暂无产品特性。
HESD5481MUT3G应用领域
暂无应用领域。
