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HESD5411N
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HESD5411N

这款双向ESD保护二极管专为单一信号线设计, 耐压能力强, 额定电压VRWM为7V, 能有效抑制高达9A的瞬时脉冲电流, 保护电路免受静电放电损害。 它拥有8pF的低电容值, 在确保信号传输质量的同时, 提供可靠防护, 尤其适合于需要平衡保护与高速数据传输需求的现代电子设备, 是防止静电损伤的理想选择。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

460

货期

现货

HESD5411N参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存460

HESD5411N概述

这款双向ESD保护二极管专为单一信号线设计, 耐压能力强, 额定电压VRWM为7V, 能有效抑制高达9A的瞬时脉冲电流, 保护电路免受静电放电损害。 它拥有8pF的低电容值, 在确保信号传输质量的同时, 提供可靠防护, 尤其适合于需要平衡保护与高速数据传输需求的现代电子设备, 是防止静电损伤的理想选择。

HESD5411N特性

暂无产品特性。

HESD5411N应用领域

暂无应用领域。

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