HESD5411N
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HESD5411N
这款双向ESD保护二极管专为单一信号线设计, 耐压能力强, 额定电压VRWM为7V, 能有效抑制高达9A的瞬时脉冲电流, 保护电路免受静电放电损害。 它拥有8pF的低电容值, 在确保信号传输质量的同时, 提供可靠防护, 尤其适合于需要平衡保护与高速数据传输需求的现代电子设备, 是防止静电损伤的理想选择。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
460
货期
现货
HESD5411N参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 460 |
HESD5411N概述
这款双向ESD保护二极管专为单一信号线设计, 耐压能力强, 额定电压VRWM为7V, 能有效抑制高达9A的瞬时脉冲电流, 保护电路免受静电放电损害。 它拥有8pF的低电容值, 在确保信号传输质量的同时, 提供可靠防护, 尤其适合于需要平衡保护与高速数据传输需求的现代电子设备, 是防止静电损伤的理想选择。
HESD5411N特性
暂无产品特性。
HESD5411N应用领域
暂无应用领域。
