HES1DM361T
IC
SMA
可供量大可议
HES1DM361T
这款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流(If), 能够在电路中顺畅地导通大电流。 其反向恢复时间短, 有助于提高转换效率, 适用于开关电源等高频应用场合。 该二极管拥有200V的最大反向电压(Vr), 保证了在高压环境下的稳定性。 正向压降(Vf)仅为0.95V, 在导通状态下能有效减少能量损耗。 反向漏电流(Ir)小于5μA, 在非导通状态能显著降低漏电损失。 瞬态峰值电流(Ifsm)达到30A, 可应对短时间内电流急剧变化的情况。 这些特性使其成为日常电子设备中不可或缺的组件。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
170
货期
现货
HES1DM361T参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 170 |
HES1DM361T概述
这款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流(If), 能够在电路中顺畅地导通大电流。 其反向恢复时间短, 有助于提高转换效率, 适用于开关电源等高频应用场合。 该二极管拥有200V的最大反向电压(Vr), 保证了在高压环境下的稳定性。 正向压降(Vf)仅为0.95V, 在导通状态下能有效减少能量损耗。 反向漏电流(Ir)小于5μA, 在非导通状态能显著降低漏电损失。 瞬态峰值电流(Ifsm)达到30A, 可应对短时间内电流急剧变化的情况。 这些特性使其成为日常电子设备中不可或缺的组件。
HES1DM361T特性
暂无产品特性。
HES1DM361T应用领域
暂无应用领域。
