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HES1DM361T
IC

SMA

可供量大可议

HES1DM361T

这款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流(If), 能够在电路中顺畅地导通大电流。 其反向恢复时间短, 有助于提高转换效率, 适用于开关电源等高频应用场合。 该二极管拥有200V的最大反向电压(Vr), 保证了在高压环境下的稳定性。 正向压降(Vf)仅为0.95V, 在导通状态下能有效减少能量损耗。 反向漏电流(Ir)小于5μA, 在非导通状态能显著降低漏电损失。 瞬态峰值电流(Ifsm)达到30A, 可应对短时间内电流急剧变化的情况。 这些特性使其成为日常电子设备中不可或缺的组件。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

170

货期

现货

HES1DM361T参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存170

HES1DM361T概述

这款快恢复/高效率二极管具有1A的正向电流(If), 能够在电路中顺畅地导通大电流。 其反向恢复时间短, 有助于提高转换效率, 适用于开关电源等高频应用场合。 该二极管拥有200V的最大反向电压(Vr), 保证了在高压环境下的稳定性。 正向压降(Vf)仅为0.95V, 在导通状态下能有效减少能量损耗。 反向漏电流(Ir)小于5μA, 在非导通状态能显著降低漏电损失。 瞬态峰值电流(Ifsm)达到30A, 可应对短时间内电流急剧变化的情况。 这些特性使其成为日常电子设备中不可或缺的组件。

HES1DM361T特性

暂无产品特性。

HES1DM361T应用领域

暂无应用领域。

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