HES1DE35AT
IC
SMA
可供量大可议
HES1DE35AT
这款快恢复二极管具有高效率特性, 其最大平均正向电流(IF)为1安培, 能够承受最高反向电压(VR)达到200伏特。 在正向导通状态下的电压降(VF)仅为0.95伏特, 这有助于减少能量损耗。 该二极管的反向漏电流(IR)控制在微安级别, 具体为5微安, 在瞬态大电流(IFSM)情况下可承受高达30安培的峰值。 这些特性使其非常适合用于高频开关电源以及需要高效能整流的应用中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
95
货期
现货
HES1DE35AT参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 快恢复/高效率二极管 |
|---|---|
| 库存 | 95 |
HES1DE35AT概述
这款快恢复二极管具有高效率特性, 其最大平均正向电流(IF)为1安培, 能够承受最高反向电压(VR)达到200伏特。 在正向导通状态下的电压降(VF)仅为0.95伏特, 这有助于减少能量损耗。 该二极管的反向漏电流(IR)控制在微安级别, 具体为5微安, 在瞬态大电流(IFSM)情况下可承受高达30安培的峰值。 这些特性使其非常适合用于高频开关电源以及需要高效能整流的应用中。
HES1DE35AT特性
暂无产品特性。
HES1DE35AT应用领域
暂无应用领域。
