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HES1DE35AT
IC

SMA

可供量大可议

HES1DE35AT

这款快恢复二极管具有高效率特性, 其最大平均正向电流(IF)为1安培, 能够承受最高反向电压(VR)达到200伏特。 在正向导通状态下的电压降(VF)仅为0.95伏特, 这有助于减少能量损耗。 该二极管的反向漏电流(IR)控制在微安级别, 具体为5微安, 在瞬态大电流(IFSM)情况下可承受高达30安培的峰值。 这些特性使其非常适合用于高频开关电源以及需要高效能整流的应用中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

95

货期

现货

HES1DE35AT参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类快恢复/高效率二极管
库存95

HES1DE35AT概述

这款快恢复二极管具有高效率特性, 其最大平均正向电流(IF)为1安培, 能够承受最高反向电压(VR)达到200伏特。 在正向导通状态下的电压降(VF)仅为0.95伏特, 这有助于减少能量损耗。 该二极管的反向漏电流(IR)控制在微安级别, 具体为5微安, 在瞬态大电流(IFSM)情况下可承受高达30安培的峰值。 这些特性使其非常适合用于高频开关电源以及需要高效能整流的应用中。

HES1DE35AT特性

暂无产品特性。

HES1DE35AT应用领域

暂无应用领域。

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