HE10N082SG
IC
TO-220CB
可供量大可议
HE10N082SG
N沟道MOSFET， 采用先进分裂栅沟槽技术， 具备快速开关、低栅极电荷和导通电阻的特点， 适用于电源开关、电池管理和不间断电源应用
品牌
R+O
封装
TO-220CB
库存
2,892
货期
现货
HE10N082SG参数
| 封装 | TO-220CB |
|---|---|
| 品牌 | R+O(宏嘉诚) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2892 |
HE10N082SG概述
N沟道MOSFET， 采用先进分裂栅沟槽技术， 具备快速开关、低栅极电荷和导通电阻的特点， 适用于电源开关、电池管理和不间断电源应用
HE10N082SG特性
暂无产品特性。
HE10N082SG应用领域
暂无应用领域。