HDTD123YCT116
IC
SOT-23
可供量大可议
HDTD123YCT116
这款数字晶体管为NPN类型, 具备50V的集射极击穿电压(Vceo), 能够在高压条件下稳定工作。 它支持高达100mA的集电极电流(Ic), 适用于多种电子线路中的信号放大与开关功能。 该晶体管的最大功率耗散(Pd)为200mW, 有助于有效管理热损耗, 确保在各类消费电子产品和通信设备中的可靠性和长寿命使用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
720
货期
现货
HDTD123YCT116参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 数字晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 720 |
HDTD123YCT116概述
这款数字晶体管为NPN类型, 具备50V的集射极击穿电压(Vceo), 能够在高压条件下稳定工作。 它支持高达100mA的集电极电流(Ic), 适用于多种电子线路中的信号放大与开关功能。 该晶体管的最大功率耗散(Pd)为200mW, 有助于有效管理热损耗, 确保在各类消费电子产品和通信设备中的可靠性和长寿命使用。
HDTD123YCT116特性
暂无产品特性。
HDTD123YCT116应用领域
暂无应用领域。
