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HDTD123YCT116
IC

SOT-23

可供量大可议

HDTD123YCT116

这款数字晶体管为NPN类型, 具备50V的集射极击穿电压(Vceo), 能够在高压条件下稳定工作。 它支持高达100mA的集电极电流(Ic), 适用于多种电子线路中的信号放大与开关功能。 该晶体管的最大功率耗散(Pd)为200mW, 有助于有效管理热损耗, 确保在各类消费电子产品和通信设备中的可靠性和长寿命使用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

720

货期

现货

HDTD123YCT116参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类数字晶体管
库存720

HDTD123YCT116概述

这款数字晶体管为NPN类型, 具备50V的集射极击穿电压(Vceo), 能够在高压条件下稳定工作。 它支持高达100mA的集电极电流(Ic), 适用于多种电子线路中的信号放大与开关功能。 该晶体管的最大功率耗散(Pd)为200mW, 有助于有效管理热损耗, 确保在各类消费电子产品和通信设备中的可靠性和长寿命使用。

HDTD123YCT116特性

暂无产品特性。

HDTD123YCT116应用领域

暂无应用领域。

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