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HDTC143ZCAT116
IC

SOT-23

可供量大可议

HDTC143ZCAT116

这款数字晶体管属于单个NPN-预偏置类型, 其设计具备稳定的性能和广泛的适用性。 该晶体管的最大集射极击穿电压(Vceo)为50V, 能够有效地防止因过压而导致的损坏。 其最大集电极电流(Ic)可达100mA, 适用于驱动各类小型电子设备或电路中的信号放大。 此外, 该晶体管的功率耗散(Pd)为246mW, 在确保功能的同时兼顾了能效, 适用于多种电子项目的开发与集成, 如家庭自动化、消费电子产品中的信号开关或逻辑门电路等。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

10

货期

现货

HDTC143ZCAT116参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类数字晶体管
库存10

HDTC143ZCAT116概述

这款数字晶体管属于单个NPN-预偏置类型, 其设计具备稳定的性能和广泛的适用性。 该晶体管的最大集射极击穿电压(Vceo)为50V, 能够有效地防止因过压而导致的损坏。 其最大集电极电流(Ic)可达100mA, 适用于驱动各类小型电子设备或电路中的信号放大。 此外, 该晶体管的功率耗散(Pd)为246mW, 在确保功能的同时兼顾了能效, 适用于多种电子项目的开发与集成, 如家庭自动化、消费电子产品中的信号开关或逻辑门电路等。

HDTC143ZCAT116特性

暂无产品特性。

HDTC143ZCAT116应用领域

暂无应用领域。

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