HDMN63D1LW13

这款N沟道MOSFET具有0.1A的连续排水电流（ID）， 适用于低功率需求的电路设计。 其最大漏源电压（VDSS）为60V， 能够有效防止过压损坏。 导通状态下的电阻（RDSON）为1300毫欧， 适合于对功耗要求不高的应用中。 栅源电压（VGS）的最大值为20V， 使得它能够兼容多种逻辑电平控制信号。 该MOSFET特别适用于便携式设备、家用电子装置中的电源管理或信号处理等场景。