HDMN62D0UDWQ13

此款N沟道场效应管（MOSFET）的设计参数包括：最大工作电流（ID）为0.1A， 漏源极间最大电压（VDSS）为60V， 导通状态下的漏源电阻（RDSON）为1300毫欧， 以及所需的栅源电压（VGS）为20V。 该MOSFET适用于多种电路设计中作为开关或放大元件， 特别是在需要精确控制的小电流应用中， 例如电池供电的装置或是家用电器内的微控制器接口等。