HDMN10H100SK313
IC
TO-252-2L(DPAK)
可供量大可议
HDMN10H100SK313
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的最大连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 适用于要求高可靠性和大电流承载能力的电路设计。 其导通电阻（RDS(on)）仅为80毫欧， 有助于减少能耗并提高效率。 该器件支持最高20V的栅源电压（VGS）， 保证了在各种工作条件下的稳定性能。 此MOSFET特别适合用于电源管理、电机驱动以及信号放大等领域， 能够提供出色的开关特性和负载控制能力。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-252-2L(DPAK)
库存
130
货期
现货
HDMN10H100SK313参数
| 封装 | TO-252-2L(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 130 |
HDMN10H100SK313概述
这款N沟道场效应管（MOSFET）具备20A的最大连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS）， 适用于要求高可靠性和大电流承载能力的电路设计。 其导通电阻（RDS(on)）仅为80毫欧， 有助于减少能耗并提高效率。 该器件支持最高20V的栅源电压（VGS）， 保证了在各种工作条件下的稳定性能。 此MOSFET特别适合用于电源管理、电机驱动以及信号放大等领域， 能够提供出色的开关特性和负载控制能力。
HDMN10H100SK313特性
暂无产品特性。
HDMN10H100SK313应用领域
暂无应用领域。