HDF2S6.8MFS, L3M
IC
SOD-923
可供量大可议
HDF2S6.8MFS, L3M
该ESD静电保护二极管为单向设计, 适用于单一信号线路, 耐压5V, 能承受高达4A的瞬态电流冲击, 确保电路免受静电损害。 其低至0.5pF的电容值, 保障了信号传输的高速与纯净, 是保护各类消费电子、通信设备内部敏感组件的理想选择, 提升系统整体的抗扰度与可靠性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-923
库存
20
货期
现货
HDF2S6.8MFS, L3M参数
| 封装 | SOD-923 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
HDF2S6.8MFS, L3M概述
该ESD静电保护二极管为单向设计, 适用于单一信号线路, 耐压5V, 能承受高达4A的瞬态电流冲击, 确保电路免受静电损害。 其低至0.5pF的电容值, 保障了信号传输的高速与纯净, 是保护各类消费电子、通信设备内部敏感组件的理想选择, 提升系统整体的抗扰度与可靠性。
HDF2S6.8MFS, L3M特性
暂无产品特性。
HDF2S6.8MFS, L3M应用领域
暂无应用领域。
