HDF2B6M5CT, L3F
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HDF2B6M5CT, L3F
这款双向ESD静电保护二极管, 专为单通道配置, 5V最大工作电压下稳定运行, 能承受高达4A的瞬时静电冲击电流, 确保电路安全性。 其低至0.5pF的电容值, 确保高速信号传输流畅无阻, 是保护敏感电路元件、提升系统抗静电性能的精妙之选。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
245
货期
现货
HDF2B6M5CT, L3F参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 245 |
HDF2B6M5CT, L3F概述
这款双向ESD静电保护二极管, 专为单通道配置, 5V最大工作电压下稳定运行, 能承受高达4A的瞬时静电冲击电流, 确保电路安全性。 其低至0.5pF的电容值, 确保高速信号传输流畅无阻, 是保护敏感电路元件、提升系统抗静电性能的精妙之选。
HDF2B6M5CT, L3F特性
暂无产品特性。
HDF2B6M5CT, L3F应用领域
暂无应用领域。
