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HDF2B6M5CT, L3F
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HDF2B6M5CT, L3F

这款双向ESD静电保护二极管, 专为单通道配置, 5V最大工作电压下稳定运行, 能承受高达4A的瞬时静电冲击电流, 确保电路安全性。 其低至0.5pF的电容值, 确保高速信号传输流畅无阻, 是保护敏感电路元件、提升系统抗静电性能的精妙之选。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

245

货期

现货

HDF2B6M5CT, L3F参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存245

HDF2B6M5CT, L3F概述

这款双向ESD静电保护二极管, 专为单通道配置, 5V最大工作电压下稳定运行, 能承受高达4A的瞬时静电冲击电流, 确保电路安全性。 其低至0.5pF的电容值, 确保高速信号传输流畅无阻, 是保护敏感电路元件、提升系统抗静电性能的精妙之选。

HDF2B6M5CT, L3F特性

暂无产品特性。

HDF2B6M5CT, L3F应用领域

暂无应用领域。

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