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HDESD5V0S1BL-7B
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HDESD5V0S1BL-7B

这款双向ESD防护二极管专为单一电路线路定制, 电压击穿阈值为5V, 能承受高达20A的瞬时冲击电流, 确保电路免受静电破坏。 集成仅40皮法的低电容值, 既不会影响高频信号传输质量, 又提供了即时的静电释放路径, 是保护精密电子组件的理想选择, 让设备运行更加稳定无忧。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

20

货期

现货

HDESD5V0S1BL-7B参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存20

HDESD5V0S1BL-7B概述

这款双向ESD防护二极管专为单一电路线路定制, 电压击穿阈值为5V, 能承受高达20A的瞬时冲击电流, 确保电路免受静电破坏。 集成仅40皮法的低电容值, 既不会影响高频信号传输质量, 又提供了即时的静电释放路径, 是保护精密电子组件的理想选择, 让设备运行更加稳定无忧。

HDESD5V0S1BL-7B特性

暂无产品特性。

HDESD5V0S1BL-7B应用领域

暂无应用领域。

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