HDESD5V0S1BL-7B
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HDESD5V0S1BL-7B
这款双向ESD防护二极管专为单一电路线路定制, 电压击穿阈值为5V, 能承受高达20A的瞬时冲击电流, 确保电路免受静电破坏。 集成仅40皮法的低电容值, 既不会影响高频信号传输质量, 又提供了即时的静电释放路径, 是保护精密电子组件的理想选择, 让设备运行更加稳定无忧。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
20
货期
现货
HDESD5V0S1BL-7B参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
HDESD5V0S1BL-7B概述
这款双向ESD防护二极管专为单一电路线路定制, 电压击穿阈值为5V, 能承受高达20A的瞬时冲击电流, 确保电路免受静电破坏。 集成仅40皮法的低电容值, 既不会影响高频信号传输质量, 又提供了即时的静电释放路径, 是保护精密电子组件的理想选择, 让设备运行更加稳定无忧。
HDESD5V0S1BL-7B特性
暂无产品特性。
HDESD5V0S1BL-7B应用领域
暂无应用领域。
