HDESD3V3XA1BCSF-7
IC
DFN0603-2L
可供量大可议
HDESD3V3XA1BCSF-7
这款双向ESD保护二极管专为单通道应用设计, 3.3V工作电压下确保稳健性, 8A峰值电流处理能力有效对抗静电冲击。 超低0.6pF电容值, 最大化信号传输速度与清晰度, 尤其适合于高频应用中的静电防护, 为电子设备的高性能运行保驾护航。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN0603-2L
库存
430
货期
现货
HDESD3V3XA1BCSF-7参数
| 封装 | DFN0603-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 430 |
HDESD3V3XA1BCSF-7概述
这款双向ESD保护二极管专为单通道应用设计, 3.3V工作电压下确保稳健性, 8A峰值电流处理能力有效对抗静电冲击。 超低0.6pF电容值, 最大化信号传输速度与清晰度, 尤其适合于高频应用中的静电防护, 为电子设备的高性能运行保驾护航。
HDESD3V3XA1BCSF-7特性
暂无产品特性。
HDESD3V3XA1BCSF-7应用领域
暂无应用领域。
