库存与价格 最近更新:2026年10月9日 00:34(北京时间)
WMiC电子元器件采购平台
热门搜索型号:
HDESD3V3E1BL-7B
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

HDESD3V3E1BL-7B

此ESD保护装置为单通道双向二极管, 额定电压VRWM为3.3伏特, 能承受9安培峰值瞬态电流IPP, 具有15皮法电容CJ, 确保了在高灵敏电路应用中既有效抑制静电放电, 又最大限度地减少了对信号传输的影响。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN1006-2L

库存

100

货期

现货

HDESD3V3E1BL-7B参数

封装DFN1006-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 20
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存100

HDESD3V3E1BL-7B概述

此ESD保护装置为单通道双向二极管, 额定电压VRWM为3.3伏特, 能承受9安培峰值瞬态电流IPP, 具有15皮法电容CJ, 确保了在高灵敏电路应用中既有效抑制静电放电, 又最大限度地减少了对信号传输的影响。

HDESD3V3E1BL-7B特性

暂无产品特性。

HDESD3V3E1BL-7B应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

sales@womaielec.com

点击发送邮件