HDESD3V3E1BL-7B
IC
DFN1006-2L
可供量大可议
HDESD3V3E1BL-7B
此ESD保护装置为单通道双向二极管, 额定电压VRWM为3.3伏特, 能承受9安培峰值瞬态电流IPP, 具有15皮法电容CJ, 确保了在高灵敏电路应用中既有效抑制静电放电, 又最大限度地减少了对信号传输的影响。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN1006-2L
库存
100
货期
现货
HDESD3V3E1BL-7B参数
| 封装 | DFN1006-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
HDESD3V3E1BL-7B概述
此ESD保护装置为单通道双向二极管, 额定电压VRWM为3.3伏特, 能承受9安培峰值瞬态电流IPP, 具有15皮法电容CJ, 确保了在高灵敏电路应用中既有效抑制静电放电, 又最大限度地减少了对信号传输的影响。
HDESD3V3E1BL-7B特性
暂无产品特性。
HDESD3V3E1BL-7B应用领域
暂无应用领域。
