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HDBNC-J-P-GN-ST-TH1
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HDBNC-J-P-GN-ST-TH1

特性:外壳材料:镀金黄铜。 接触材料:铜合金。 绝缘材料:聚四氟乙烯(PTFE)。 阻抗:75Ω ± 2Ω。 频率范围:0~6 GHz。 电压驻波比(V. S. W. R):最大1.45(采用优化的发射设计)。 工作电压:最大330 Vrms。 耐压:最小1500 Vrms。 接触电阻:中心触点最大1.5mΩ, 外部触点最大0.4mΩ。 工作温度:-65°C至+125°C。 符合RoHS标准。 可无铅焊接。 专利设计和卡口式锁扣

品牌

SAMTEC

封装

插件

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20

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HDBNC-J-P-GN-ST-TH1参数

封装插件
品牌SAMTEC
MOQ / SPQ1 / 1
分类RF射频同轴连接器
库存20

HDBNC-J-P-GN-ST-TH1概述

特性:外壳材料:镀金黄铜。 接触材料:铜合金。 绝缘材料:聚四氟乙烯(PTFE)。 阻抗:75Ω ± 2Ω。 频率范围:0~6 GHz。 电压驻波比(V. S. W. R):最大1.45(采用优化的发射设计)。 工作电压:最大330 Vrms。 耐压:最小1500 Vrms。 接触电阻:中心触点最大1.5mΩ, 外部触点最大0.4mΩ。 工作温度:-65°C至+125°C。 符合RoHS标准。 可无铅焊接。 专利设计和卡口式锁扣

HDBNC-J-P-GN-ST-TH1特性

暂无产品特性。

HDBNC-J-P-GN-ST-TH1应用领域

暂无应用领域。

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